美光宣布基于 G9 架构的 UFS 4.1 和 UFS 3.1 存储芯片

今天，美光宣布推出全球首款基于 G9 的智能手机 UFS 4.1 和 UFS 3.1 存储解决方案，从而实现更多设备内置 AI 功能。新款存储芯片将在美光 1y LPDDR5X 芯片（将于 2026 年初上市）之后不久在旗舰产品上推出。

UFS 4.1 和 UFS 3.1 移动存储芯片基于美光的 G9 工艺节点，可提供更高的能效和读写速度。容量将在 256GB 和 1TB 芯片之间变化，适用于超薄和可折叠智能手机。

但除了硬件改进之外，美光还承诺进行一些软件调整，以提升用户体验并提高某些 AI 任务的性能。例如，UFS 4.1 存储解决方案支持分区 UFS，提高了读写效率并减少了写入放大，而数据碎片整理可将 UFS 设备内部的数据重新定位和碎片整理提高 60%。Pinned WriteBooster 可将位于 WriteBooster 缓冲区上的数据访问速度提高多达 30%。智能延迟跟踪器通过分析延迟日志自动进行调试。最后一个功能在 UFS 3.1 上也可用，而其他功能似乎是 UFS 4.1 芯片独有的。